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HL: Halbleiterphysik

HL 45: Grenz- und Oberfl
ächen

HL 45.3: Vortrag

Freitag, 15. März 2002, 12:30–12:45, H17

Photoelektronenspektroskopieuntersuchung von Siliziumkontakten mit niedriger Schottky-Barriere basierend auf DySi₂-Monolagen — •M. Wanke, S. Vandré, T. Kalka, C. Preinesberger, S.K. Becker, W. Busse und M. Dähne — Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Die heutige Entwicklung der Informationstechnologie zeigt einen Weg zu kleineren und vor allem schnelleren Bauelementen. Das zielt auch auf effektivere Metall-Halbleiterkontakte. Es war uns gelungen, die Schottkybarriere durch eine Lanthanidsilizidmonolage auf n-dotiertem Silizium(111) auf 0,08 eV abzusenken [1]. Hier wird mit Rumpfniveau-Photoelektronenspektroskopie bei BESSY II gezeigt, dass beim Überwachsen der Monolage mit Siliziumschichten die Höhe der Barriere erhalten bleiben. Mit einem solchen Mehrschichtsystem wird ein extrem niederohmiger Kontakt auf n-Si möglich [2].

[1] S. Vandré et al., Phys. Rev. Lett. 82, 1927 (1999)

[2] S. Vandré et al., Appl. Phys. Lett. 78, 2012 (2001)