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HL: Halbleiterphysik
HL 45: Grenz- und Oberfl
ächen
HL 45.5: Vortrag
Freitag, 15. März 2002, 13:00–13:15, H17
Optische Spektroskopie an BeTe(100) Oberflächenrekonstruktionen — •J.W. Wagner1, V. Wagner1, J. Geurts1, P. Vogt2, N. Esser2 und W. Richter2 — 1Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Experimentelle Physik III, Am Hubland, D-97074 Würzburg — 2Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik
BeTe ist ein sehr wichtiges Material für elektro-optische Anwendungen,
aufgrund seiner hohen p-Dotierbarkeit und seiner hohen
Bandlücke
(4,2 eV). Außerdem ist BeTe nahezu gitterangepasst an GaAs und
ZnSe.
Grundlagenphysikalisch ist BeTe
durch seine extremen Eigenschaften aufgrund der sehr hohen
Massenasymmetrie zwischen Be und Te von besonderem Interesse, z.B.
bildet sich eine für II-VI-Halbleiter sehr untypische (3x1)
Oberflächen(OF)-Rekonstruktion aus.
Wir untersuchen unter Ultrahochvakuumbedingungen die BeTe(100)-OF,
von der Te-reichen (2x1) bis zur extrem Be-reichen (3x1),
mittels Reflexions Anisotropie Spektroskopie (RAS) und
resonanter Ramanstreuung (RRS), wobei die OF-Rekonstruktionen mit
LEED bestimmt wurde .
An der Te-reichen (2x1) OF bilden sich Te-Dimere entlang der
[011]-Hauptachsenrichtung aus, die durch Vergleich von
first principles
Rechnungen mit Ramanspektroskopie nachgewiesen werden können. Unter
Benutzung der
RRS konnte die Resonanz bei optischer Anregung zu 2,6 eV bestimmt
werden.
Extrem Be-reiche OF mit einer (3x1) OF-Rekonstruktion können
durch Tempern bei 500 ∘C päpariert werden. Dabei zeigt RAS
deutlich unterschiedliche Spektren für die (2x1) und (3x1) OF,
insbesondere im Bereich von 2,8 bis 4,8 eV. Für die ungewöhnliche
(3x1) OF stellen wir
ein mikroskopisches Modell vor, welches von first principles
Rechnungen gestützt wird.