Regensburg 2002 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 5: Quantenpunkte und -dr
ähte: Transporteigensch. I
HL 5.11: Talk
Monday, March 11, 2002, 13:00–13:15, H17
Kondo-Effekt und Mixed Valence Regime in Viel-Elektronen Quantenpunkten — •Claus Fühner1, R. J. Haug1, D. Reuter2 und A. Wieck2 — 1Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover — 2Lehrstuhl für angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum
Auf GaAs/AlGaAs-Heterostrukturen wurden mit Elektronenstrahllithographie Split-Gate Einzelelektronen-Tunneltransistoren hergestellt. An diesen SETs werden für eine starke Ankopplung Γ an die Zuleitungen in Abhängigkeit von Temperatur und Magnetfeld sowohl lineare als auch nichtlineare Transportmessungen über große Gatespannungsbereiche im Kondo-Regime durchgeführt. Im hier realisierten Mixed Valence Regime sind aufgrund der Größe der Quantenpunkte (d ∼ 250 nm, N ∼ 150 Elektronen) und dem dann entsprechend kleinen Niveauabstand Δ E mehrere Dot-Zustände an der Bildung des Kondo-Zustandes beteiligt (Δ E ∼ ℏ Γ).
Die Transportuntersuchungen zeigen eine reichhaltige Struktur: Die differentielle Leitfähigkeit oszilliert im Coulomb-Blockadebereich in Abhängigkeit vom Magnetfeld, was bei Variation der Elektronenzahl auf dem Dot zu einem großflächigen (Δ N > 60) Streifen- bzw. Schachbrettmuster führt. Temperaturabhängige nichtlineare Transportmessungen zeigen in den Maxima die Signatur eines einzigen zentralen, in den Minima die eines aufgespaltenen Kondo-Peaks.