Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Störstellen / Amorphe Halbleiter

HL 7.3: Talk

Monday, March 11, 2002, 16:00–16:15, H13

Nachweis elektrischer Ladungen an Versetzungen in GaAs mittels Querschnittsrastertunnelmikroskopie — •Ph. Ebert, C. Domke und K. Urban — Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich

Versetzungen in Halbleitern beeinflussen die Lebensdauer und Eigenschaften von Bauelementen, falls sie lokalisierte elektrische Zustände in der Bandlücke aufweisen. Eine gleichzeitige Bestimmung von Ladung und atomarer Struktur, bzw. Typ, der Versetzungen ist jedoch bisher nicht erreicht worden. Wir zeigen hier, daß es mittels Querschnittsrastertunnelmikroskopie (RTM) möglich ist sowohl den Typ als auch den Ladungszustand von Versetzungen in GaAs zu bestimmen. Die Methodik wird anhand einer in zwei Partialversetzungen aufgespaltenen vollständigen Versetzung an der (110) Oberfläche von hoch Si-dotiertem GaAs vorgestellt. Die RTM Bilder, der durch die Spaltoberfläche gehenden Versetzung zeigen, daß sowohl beide Kerne der Partialversetzungen als auch der Stapelfehler dazwischen negativ geladen sind.