Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 7: Störstellen / Amorphe Halbleiter
HL 7.4: Vortrag
Montag, 11. März 2002, 16:15–16:30, H13
Nachweis von Ge-Leerstellen in elektronenbestrahltem Zinkgermaniumdiphosphid (ZnGeP2)* — •Wolfgang Gehlhoff, Dmitri Azamat und Axel Hoffmann — Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin
Zinkgermaniumdiphosphid (ZnGeP2) ist ein vielversprechendes Material
für Anwendungen in der nicht-linearen Optik. Die hohe optische
Transparenz dieses Materials wird jedoch durch eine breite Absorptionsbande
im Bereich von 625 nm bis 2500 nm beeinträchtigt, die hauptsächlich
durch Zinkleerstellen verursacht wird. Eine Reduktion dieser für
Anwendungen störenden Absorption kann durch die Bestrahlung der Kristalle
mit hochenergetischen Elektronen (1-2MeV) erreicht werden, wodurch eine
Verschiebung des Fermi-Niveaus in Richtung Leitungsband erfolgt und die
Zinkleerstellen in den nichtabsorbierenden Ladungszustand VZn–
umgeladen werden [1]. Mittels EPR-Untersuchungen konnte gezeigt werden,
dass eine derartige Elektronenbestrahlung zur Entstehung von
paramagnetischen Defekten in hoher Konzentration führt. Das Spektrum des
Hauptdefektes kann durch einen Spin S=1/2 und einem g-Wert g=2,011
beschrieben werden. Aufgrund der charakteristischen
Phosphor-Hyperfeinwechselwirkung konnte dieser Defekt als Ge-Leerstelle
identifiziert werden. Seine energetische Lage im Bandgap von ZnGeP2
(2,1eV) wurde mittels Photo-EPR bestimmt.
*Gefördert durch BMBF
(05KK 1KTA/4).
[1] W. Gehlhoff et al., ICDS-21, Physica B (2001), in press