Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

M: Metallphysik

M 13: Grenzfl
ächen

M 13.6: Fachvortrag

Dienstag, 12. März 2002, 17:45–18:00, H4

Segregationsuntersuchungen am System Al(Ga) mittels TEM — •S. Schmidt¹, W. Sigle¹ und W. Gust² — ¹MPI für Metallforschung Stuttgart, Abtlg. Rühle, Seestr. 92, 70174 Stuttgart — ²MPI für Metallforschung Stuttgart, Abtlg. Mittemeijer, Seestr. 92, 70174 Stuttgart

Zahlreiche Untersuchungen zeigen, dass die Benetzung von Al-KGn mit Ga zu einer starken Versprödung des Materials führt. Zur Bestimmung der thermodynamischen Kenngrößen der Benetzung wurde ein Ga-Konzentrationsprofil über eine KG einer Al 2 At.-% Ga-Legierung mittels energiedispersiver Röntgenanalyse (EDXS) im Rastertransmissionselektronenmikroskop (STEM) aufgenommen. Die untersuchte TEM-Probe wurde für die Temperaturen 350, 400, 450 und 500C ins thermodynamische Gleichgewicht gebracht. Unter der Annahme von Einfachstreuung der Elektronen im Material wurde ein EDX-Intensitätsprofil berechnet. Durch Vergleich mit dem gemessenen Ga-Konzentrationsprofil wurde die Ga-Schichtdicke mit einer Genauigkeit von 0,4 nm bestimmt.

Zusätzlich wurde die Anwendbarkeit verschiedener Segregationsmodelle (Langmuir-McLean, Fowler-Guggenheim) auf dieses Materialsystem durch die Bestimmung der Ga-KG-Belegung für verschiedene Auslagerungstemperaturen überprüft.

Die Autoren bedanken sich bei der DFG für die Förderung im Rahmen des Forschungsprojekts Si363/2-1.