Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

M: Metallphysik

M 2: Mechanische Eigenschaften II

M 2.7: Fachvortrag

Montag, 11. März 2002, 17:30–17:45, H16

Einsatz der Nanoindentierungstechnik zur Optimierung der Trenntechnologie der GaAs-Waferherstellung hinsichtlich einsatzbestimmender Oberflächeneigenschaften. — •Schaper Michael¹, Hammer Harald², Jurisch Manfred², Wolf Bodo³ und Bergner Frank¹ — ¹TU Dresden, Institut für Werkstoffwissenschaft — ²FCM Freiberg — ³TU Dresden, Institut für Kristallografie

Die III-V - Halbleiter (GaAs, InP) weisen neben attraktiven elektronischen Eigenschaften eine extrem niedrige Bruchzähigkeit auf, so dass bereits kleinste Oberflächendefekte mit charakteristischen Abmesunngen unter 100nm zum Versagen führen können. Den Oberflächeneigenschaften, insbesondere der bearbeitungsbedingten Störstellentiefe kommt daher für die Ausbeute bei der Waferherstellung eine besondere Bedeutung zu. Mit Hilfe der Nanoindentierungstechnik wurden Schwellwerte für erste Versetzungsbewegungen und Mikrorissbildung nachgewiesen und Informationen gewonnen, die eine Optimierung von Trenntechnologie und der nachfolgenden Bearbeitungsschritte im Hinblick auf die Produktzuverlässigkeit erlauben.