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MA: Magnetismus

MA 10: Poster : Dünne Schichten(1-21),Spinabh.Transp.(22-39),Exch.Bias(40-51),Spindyn.(52-55),Mikromag.(56-66),Partikel(67-74),Abb.Verf.(75-77),Oberfl.+Spinelektr.+Elektr.Theo+Mikromag(75-87),PÜ+Aniso+Werkst/Leg.(88-103),Mol.Mag.+N-dim+Messm.+Postdead(104-111

MA 10.22: Poster

Dienstag, 12. März 2002, 15:00–19:00, Bereich A

Herstellung und Charakterisierung magnetischer Tunnelelemente mit Doppelbarriere — •Marc Sacher, Andy Thomas, Hubert Brückl, Jan Schmalhorst und Günter Reiss — Universität Bielefeld, Fakultät für Physik, Universitätsstr.25, 33615 Bielefeld

Die Entdeckung neuer magnetoelektronischer Effekte hat weltweit eine große Zahl von Forschungsprojekten ins Leben gerufen. Einer dieser neuen Effekte ist der sogenannte Tunnelmagnetowiderstandseffekt (TMR), der auf der Spinabhängigkeit des Tunneleffektes beruht. Für neue magnetoelektronische Anwendungen sind nicht nur Tunnelelemente mit einer einzelnen Barriere interessant, sondern auch Doppelbarrierensysteme (z.B. CoFe / Al₂O₃ / Ni₈₁Fe₁₉ / Al₂O₃ / CoFe). Bei der Präparation dieser Systeme treten allerdings Schwierigkeiten beim Aufwachsen der ferromagnetischen Mittelelektrode auf dem amorphen Aluminiumoxid der unteren Barriere auf, die Schicht wird rauh.

In dieser Arbeit werden Tunnelelemente mit Doppelbarrieren untersucht, welche mittels verschiedener Herstellungsverfahren präpariert werden. Die Charakterisierung der Schichtstapel hinsichtlich ihrer strukturellen Eigenschaften erfolgt mittels Augerelektronenspektroskopie in Verbindung mit Ionenstrahlätzen (Tiefenprofilanalyse), Kraftmikroskopie und Röntgenfeinstrukturanalyse. Hier ist insbesondere der Sauerstoffgehalt in der mittleren ferromagnetischen Elektrode, die Rauhigkeit und die Textur des Schichtsystems von Interesse. Die magnetischen Eigenschaften werden mittels des magnetooptischen Kerr-Effektes gemessen, um Korrelationen zwischen den strukturellen und den magnetischen Eigenschaften herzustellen.