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MA: Magnetismus

MA 10: Poster : Dünne Schichten(1-21),Spinabh.Transp.(22-39),Exch.Bias(40-51),Spindyn.(52-55),Mikromag.(56-66),Partikel(67-74),Abb.Verf.(75-77),Oberfl.+Spinelektr.+Elektr.Theo+Mikromag(75-87),PÜ+Aniso+Werkst/Leg.(88-103),Mol.Mag.+N-dim+Messm.+Postdead(104-111

MA 10.27: Poster

Dienstag, 12. März 2002, 15:00–19:00, Bereich A

Herstellung und Charakterisierung magnetischer Tunnelelemente mit Schottkybarrieren — •Jan Bornemeier, Maik Justus, Slawomir Czerkas, Andy Thomas, Hubert Brückl und Günter Reiss — Universität Bielefeld, Fakultät für Physik, Universitätsstr.25, 33615 Bielefeld

Magnetische Schichtsysteme sind seit einigen Jahren Gegenstand intensiver Forschung, da sie physikalisch interessant sind und auch eine große Vielfalt an Anwendungen bieten. Der Tunnelmagnetowiderstandseffekt (TMR) ermöglicht insbesondere auch die Untersuchung ballistischer Elektronen. Dazu werden TMR-Elemente aus Co/Al₂O₃/Py auf Si(100)-Wafern hergestellt. Elektronen, die die Kobaltschicht ballistisch durchqueren, werden über die Schottkybarriere kollektiert. Die Schottkybarrierenhöhe beträgt 0,8 eV. Die Tunnelelemente wurden mittels Laserlithographie auf eine Größe von 200 x 200 µm² strukturiert und haben eine maximale TMR Effektamplitude von 18 Prozent bei einem Flächenwiderstand von 20 MΩµm². Die Effektamplitude wurde in Abhängigkeit der Biasspannung und des magnetischen Feldes untersucht.