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MA: Magnetismus

MA 10: Poster : Dünne Schichten(1-21),Spinabh.Transp.(22-39),Exch.Bias(40-51),Spindyn.(52-55),Mikromag.(56-66),Partikel(67-74),Abb.Verf.(75-77),Oberfl.+Spinelektr.+Elektr.Theo+Mikromag(75-87),PÜ+Aniso+Werkst/Leg.(88-103),Mol.Mag.+N-dim+Messm.+Postdead(104-111

MA 10.46: Poster

Dienstag, 12. März 2002, 15:00–19:00, Bereich A

Antiferromagnetische Kopplung und GMR in FeRh Mehrlagensystemen — •Daniel Ciaffone, Maik Justus, Hubert Brückl und Günter Reiss — Universität Bielefeld, Fakultät für Physik, Universitätsstr.25, 33615 Bielefeld

Elektrische und magnetische Messungen an FeRh Mehrlagensystemen, die auf Si(100)-Scheiben durch Sputtern aufgebracht werden, zeigen indirekte Austauschkopplung und GMR-Effekt.

Die Rhodiumdicke wurde in einem Bereich von 0.5 nm bis 3 nm variiert. Mittels des magnetooptischen Kerreffekts wird gezeigt, daß bei Rhodiumschichtdicken von 0.7 nm bzw. 3 nm antiferromagnetische Maxima der Zwischenschichtaustauschkopplung vorliegen. Die Sättigungsfelder von 0.4 T im zweiten bzw. 15 T im ersten Maximum weisen auf eine sehr starke Kopplung von 0.4 mJ/m² respektive 6.9 mJ/m² hin. Zusätzlich konnten auch erstmals GMR-Effekte in diesem Schichtsystem nachgewiesen werden.