Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

MA: Magnetismus

MA 10: Poster : Dünne Schichten(1-21),Spinabh.Transp.(22-39),Exch.Bias(40-51),Spindyn.(52-55),Mikromag.(56-66),Partikel(67-74),Abb.Verf.(75-77),Oberfl.+Spinelektr.+Elektr.Theo+Mikromag(75-87),PÜ+Aniso+Werkst/Leg.(88-103),Mol.Mag.+N-dim+Messm.+Postdead(104-111

MA 10.62: Poster

Dienstag, 12. März 2002, 15:00–19:00, Bereich A

Hall- und Bend-Resistance-Magnetometrie an mikro- und nanostrukturierten Ferromagneten — •Thomas Hengstmann, Nicolas Hoyer, Haiko Rolff, Dirk Grundler, Christian Heyn und Detlef Heitmann — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Jungiusstrasse 11, 20355 Hamburg

Mikro- und nanostrukturierte Ferromagnete finden Anwendung in magnetoelektronischen Bauelementen. In hochintegrierten Schaltungen können die Streufelder der strukturierten Ferromagnete den Magnetisierungszustand benachbarter Magnete beeinflussen. Die Hall-Magnetometrie ist eine wichtige Technik, um diese Streufelder quantitativ zu erfassen. Wir haben Systeme bestehend aus zwei rechteckigen Permalloy-Mikromagneten (1x1 µm² und 1x2 µm²) mit sub-µm-Abstand auf Hall-Kreuzen integriert, die in ein hochbewegliches zweidimensionalen Elektronensystem in einer GaAs/AlGaAs-Heterostruktur geätzt wurden. Der hysteretische Hall-Widerstand zeigt ausgeprägte Sprünge als Funktion eines äußeren Magnetfeldes, die die charakteristischen Ummagnetisierungsprozesse der Mikromagnete widerspiegeln und magnetostatische Wechselwirkung erkennen lassen. Durchgeführte mikromagnetische Simulationsrechnungen unterstützen die experimentellen Ergebnisse. Die von uns entwickelte Methode der Bend-Resistance-Magnetometrie mit ballistischen Elektronen bei Helium-Temperatur erbringt insbesondere zusätzliche Informationen über die Ummagnetisierungsprozesse auf der Nanometer-Skala. Wir danken der DFG für die Unterstützung über Projekt He1938/9 und dem NEDO-Programm Spintronics.