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MA: Magnetismus

MA 16: Spinelektronik

MA 16.2: Vortrag

Donnerstag, 14. März 2002, 17:45–18:00, H10

MBE-Wachstum von NiMnSb auf (In,Ga)As/InP: ein vielversprechendes Materialsystem für Spininjektion bei Raumtemperatur — •P. Bach, C.R. Becker, G. Schmidt und L.W. Molenkamp — Experimentelle Physik III, Universität Würzburg, 97084 Würzburg

Für effiziente Spininjektion bei Raumtemperatur benötigt man Spininjektoren mit möglichst 100% Spinpolarisation. Halbmetallische Ferromagneten (HMF) wie NiMnSb, die in der einen Spinrichtung Metall- und in der anderen Spinrichtung Halbleiter-Charakter besitzen, sind deshalb ideale Materialien dafür.

Die Proben bestehen aus einem (In,Ga)As-Buffer, der gitterangepasst auf InP gewachsen wurde, und einer NiMnSb-Schicht. Buffer und HMF-Schicht wurden in verschiedenen Kammern gewachsen, die durch ein UHV-Modul verbunden sind. Das Wachstum wurde durch RHEED kontrolliert und zeigt sowohl für den Buffer als auch für die HMF-Schicht deutliche Rekonstruktionen. Zusätzliche Charakterisierung mittels Röntgenbeugung zeigt eine gute strukturelle Qualität beider Schichten. SQUID Messungen zeigen deutlich den ferromagnetischen Charakter der NiMnSb-Schicht. Die Abhängigkeit der Curie-Temperatur von den Wachstumsbedingungen wird diskutiert.

Diese Arbeit wurde unterstützt durch das DARPA SPINS Programm und das BMBF.