Regensburg 2002 – scientific programme

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MA: Magnetismus

MA 16: Spinelektronik

MA 16.3: Talk

Thursday, March 14, 2002, 18:00–18:15, H10

Ballistische Spininjektion von Fe(001) in ZnSe und GaAs — •Olaf Wunnicke¹, Ph. Mavropoulos¹, R. Zeller¹, P.H. Dederichs¹ und D. Grundler² — ¹Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich — ²Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, D-20355 Hamburg

Wir präsentieren ab initio Rechnung zur ballistischen Spininjektion von Fe(001) in ZnSe und GaAs. Mit Hilfe der Dichtefunktionaltheorie in der lokalen Dichte Näherung und der screened KKR Greensfunktions-Methode haben wir Grundzustandsrechnungen von epitaktischen Fe|GaAs(001) und Fe|ZnSe(001) Systemen durchgeführt. Anschließend wurde der Leitwert im Rahmen des Landauerformalismus für drei unterschiedliche Injektionsprozesse bestimmt: Spininjektion von angeregten heißen Elektronen und von Elektronen an der Fermienergie mit und ohne einer Tunnelbarriere. Die Ergebnisse zeigen, dass die Grenzschichten nahezu ideale Spinfilter mit einer Spinpolarisation bis zu 99% darstellen. Dieses wird auf die unterschiedlichen Symmetrien der Fe(001) Bandstrukturen im Majoritäts- und Minoritätsband für senkrechten Einfall zurückgeführt. Im Fall einer Tunnelbarriere können auch resonante Grenzflächenzustände im Minoritätsband wichtig werden.