Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

MA: Magnetismus

MA 7: Spinabhängige Transportphänomene II

MA 7.10: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 11:45–12:00, H22

Spinpolarisiertes Tunneln durch eine Vakuumbarriere — •Wulf Wulfhekel, Haifeng Ding, Uta Schlickum und Jürgen Kirschner — MPI für Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, 06120 Halle

Der Tunnelmagnetowiderstandseffekt (TMR) wurde durch die Vakuumbarriere eines spinpolarisierten Rastertunnelmikroskops als Funktion der Barrierenbreite und der Tunnelspannung gemessen. Als ferromagnetische Elektroden dienen eine weichmagnetische, amorphe Co Spitze und die einkristalline Oberfläche eines Co(0001) Kristalls. Entgegen der Vorhersage des Julliere Models, bei dem der TMR nur von der Spinpolarisation der Elektroden abhängt, zeigt sich eine Abhängigkeit des TMRs von der Breite des Tunnelspalts. Dieses wird durch ein an Slonczewski angelehntes Model erklärt, in dem nicht nur die Spinpolarisation sondern auch die relevanten Momente der Elektronen in den Elektroden und der Barriere berücksichtigt werden. Weiterhin zeigt die Spannungsabhängigkeit des TMRs ein komplexes Verhalten, was von dem in polykristallinen, planaren Tunnelkontakten mit amorphen Barrieren beobachtet wird, abweicht. Dieses wird durch die spezifischen Details der Bandstruktur von Co(0001) begründet.