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O: Oberflächenphysik

O 10: Zeitaufgelöste Spektroskopie

O 10.1: Vortrag

Montag, 11. März 2002, 15:15–15:30, H43

Transiente Änderung der Oberflächen-Photospannung an p-GaAs(100) beobachtet mit fs-zeitaufgelöster Innerschalen-Photoelektronenspektroskopie — •Peter Siffalovic, Markus Drescher und Ulrich Heinzmann — Universität Bielefeld, Fakultät für Physik, Universitätsstr. 25, D-33615 Bielefeld

Zeitaufgelöste Rumpf-Niveau Photoelektronenspektroskopie wird eingesetzt für die Beobachtung der Bandverbiegung an einer p-GaAs(100) Oberfläche. Elektronen-Transport und -Rekombination nach der Photoanregung mit einem Pump-Puls (3.1 eV) werden beobachtet mit einem EUV Probe-Puls (70 eV) anhand einer spektralen Verschiebung der Ga-3d Photolinie als Funktion der Zeitverzögerung zwischen dem Pump- und Probe-Puls. Der Transport von Ladungsträgern in der Raumladungszone erfolgt demnach innerhalb von 400 fs; die anschließende Oberflächen-Rekombination erfolgt auf einer Skala von einigen zehn Pikosekunden.