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O: Oberflächenphysik
O 10: Zeitaufgelöste Spektroskopie
O 10.5: Vortrag
Montag, 11. März 2002, 16:15–16:30, H43
Zeitaufgelöste Messung der Oberflächenphotospannung von SiO2/Si(100) durch 2-Photonen-Photoemission mit Laser und Synchrotronstrahlung — •D. Bröcker, T. Gießel, I. V. Hertel, A. Liro, F. Noack, V. Petrov, D. Pop, R. Weber, I. Will, B. Winter und W. Widdra — Max Born Institut, Max Born Str. 2a, 12489 Berlin
Die Oberflächen-Photospannung wurde für dünne, thermisch gewachsene SiO2-Schichten auf einer Si(100)-Oberfläche mittels zeitaufgelöster Si 2p Rumpfelektronen-Spektroskopie im Zeitbereich von 60 ps bis 800 ns bestimmt. Hierzu werden 10 ps Laserpulse eines Nd:YVO4-Lasers mit einer Repetitionsrate von 1,25 MHz, einer Energie von 250 nJ/Puls und einer Wellenlänge von 1µm mit der "Single Bunch"-Synchrotronstrahlung (ebenfalls 1,25 MHz) an der U125-Beamline bei BESSY auf besser als 5 ps synchronisiert. Durch Variation der "Pump-Probe"-Verzögerung zwischen Laser- und Synchrotronstrahlung wurde ein schneller Anstieg und ein biexponentieller Abfall der Oberflächen-Photospannung nach der Laseranregung gefunden.