Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption an Oberfl
ächen, Elektronische Struktur, Magnetismus in reduzierten Dimensionen, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Organische Dünnschichten)

O 13.15: Poster

Montag, 11. März 2002, 18:00–21:00, Bereich C

SPA-LEED und STM-Untersuchungen zum Aufrauhen von Si(001) bei Sb-Adsorption — •R. Hild, P. Kury, Th. Grabosch und M. Horn-von Hoegen — Institut für Laser- und Plasmaphysik, Universität Essen, 45117 Essen

Um die größere Beweglichkeit der Defektelektronen in Ge bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen ausnutzen zu können, ist man an glatten Ge-Filmen auf Si interessiert. Hierbei spielt Sb als Adsorbat eine besondere Rolle, da es als Surfactant wirkt und auf Si(111) ermöglicht, glatte Ge-Filme zu erzeugen[1]. Auf der technologisch relevanten Si(001)-Fläche glatte Ge-Schichten zu erzeugen, ist auch mit Sb als Surfactant nicht möglich. Dies ist möglicherweise bereits durch die Morphologie der Sb-terminierten Si(001)-Fläche verursacht, da die hier vorgestellten Untersuchungen mittels STM und hochauflösender Elektronenbeugunng (SPA-LEED) zeigen, daß die Oberfläche bei Adsorption von 1 ML Sb im Temperaturbereich von 400 ^∘C bis 850 ^∘C massiv aufrauht. Zu höheren Temperaturen wird die Rauhigkeit langwelliger, was verbunden ist mit einem Übergang von einer (2×n) zu einer (m×n) Überstruktur. Die Rauhigkeit entsteht durch replacive adsorption", bei der adsorbierende Sb-Atome Si-Atome aus der Oberfläche verdrängen, wie es bereits für As beobachtet wurde[2].

[1] M. Horn-von Hoegen, Z. Kristallogr. 214 (1999), 39-64

[2] R.Tromp, Surf. Sci., 319, no. 1-2 (1994), 110-118