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O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption an Oberfl
ächen, Elektronische Struktur, Magnetismus in reduzierten Dimensionen, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Organische Dünnschichten)

O 13.41: Poster

Montag, 11. März 2002, 18:00–21:00, Bereich C

Kinetische Monte Carlo Simulation des Wachstums von II-VI(001) Halbleiteroberflächen — •Thorsten Volkmann, Martin Ahr und Michael Biehl — Institut für Theoretische Physik und Astrophysik, Julius-Maximilians-Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg

Wir stellen eine Erweiterung des in [1] beschriebenen Gittergasmodells der Rekonstruktion von (001) Oberflächen von CdTe und ZnSe zu einem 3D-Wachstumsmodell vor, das Adsorption, Diffusion sowie Desorption von zwei verschiedenen Teilchensorten (im folgenden Cd und Te) einschließt. Das Zinkblendegitter von CdTe wird hierbei in einer solid-on-solid Repräsentation simuliert. Um die bekannten Rekonstruktionseigenschaften der (001) Oberfläche zu reproduzieren, werden die im 2D-Gittergasmodell eingeführten anisotropen Wechselwirkungen für die frei beweglichen Cd-Atome an der Oberfläche übernommen. Desweiteren werden kurzreichweitige Wechselwirkungen zwischen Cd- und Te-Atomen an der Oberfläche und im Bulk angenommen. Zur Vermeidung eventueller Ergodizitätsverletzungen, die sich aus der solid-on-solid Bedingung ergeben, wird ein weiterer Bindungszustand für Te-Atome betrachtet, der die experimentellen Beobachtungen an CdTe widerspiegelt (Precursor-Zustand). Diese schwach gebundenen Te-Atome werden im Rahmen eines mean-field Ansatzes (Te-Reservoir) berücksichtigt.

Referenzen
[1] M. Ahr, M. Biehl, cond-mat/0111114