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O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption an Oberfl
ächen, Elektronische Struktur, Magnetismus in reduzierten Dimensionen, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Organische Dünnschichten)

O 13.43: Poster

Montag, 11. März 2002, 18:00–21:00, Bereich C

SPA-LEED-Untersuchungen des epitaktischen Wachstums von Co auf Si(111)7×7 — •A. Kroeck, H. Goldbach und J. Wollschläger — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, D-30167 Hannover

Das epitaktische Wachstum ultradünner Co und CoSi₂-Schichten im Bereich weniger Monolagen wurde mit SPA-LEED (Spot Profile Analysis of LEED) untersucht. Während des Wachstums von Schichten im Temperaturbereich von Raumtemperatur (RT) bis 450^∘C wurde sowohl die Spitzenintensität (Oszillationskurven) als auch das Profil des reflektierten Elektronenstrahls aufgenommen. Alle Oszillationkurven weisen zwei Maxima auf, wobei die bei RT am deutlichsten ausgeprägt sind. Die Silizidbildung der bei RT gewachsenen Co-Schichten durch Tempern bei 250-800^∘C wurde anhand (zweidimensionaler) Beugungsbilder und (eindimensionaler) Reflexprofile verfolgt. Hierbei entstehen - je nach Temperatur - unterschiedliche Überstrukturen: √3×√3, 2×2 und schließlich 7×7. Aus der Halbwertsbreite und der Intensität der Schulter des (00)-Reflexprofils lassen sich Aussagen über die mittlere Terrassenbreite und die vertikale Rauhigkeit treffen. Die bei 300^∘C und 450^∘C gewachsenen Silizidschichten weisen neben Überstrukturen zusätzlich Facetten auf. Bei 450^∘C wurde im Submonolagenbereich eine Mischung aus einer √13×√13- und 7×7-Überstruktur festgestellt. Da die Reflexe sehr scharf sind, liegt die Domänengrösse jenseits der Transferweite von 30nm.