Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 13: Postersitzung (Adsorption an Oberfl
ächen, Elektronische Struktur, Magnetismus in reduzierten Dimensionen, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Organische Dünnschichten)
O 13.47: Poster
Montag, 11. März 2002, 18:00–21:00, Bereich C
Untersuchungen der Wachstumskinetik von CaF2 bis 2ML — •C. Deiter, M. Bierkandt und J. Wollschläger — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, D-30167 Hannover
Aufgrund des kleinen Gitterfehlers von 0.5% bei Raumtemperatur ist CaF2 ein aussichtsreicher Kandidat für die Herstellung epitaktischer Halb leiter-Isolator-Vielfachschichten, wie man sie u.a. bei der Fertigung von resonanten Tunneldioden benötigt. Mithilfe der Rastertunnelmikroskopie (STM) wurde in dieser Arbeit die Wachstumskinetik des heteroepitaktische n Systems CaF2/Si im Bereich bis 2ML untersucht. Die Besonderheit dies es Systems liegt in einer Reaktion von CaF2 mit dem Si-Substrat bei h öheren Wachstumstemperaturen, wodurch eine CaF-Grenzflächenschicht ent steht. Daher sind während des Wachstums unterschiedliche Materialpaarun gen wie CaF2/CaF und CaF2/CaF2 von Bedeutung. Um einen Einblick in die elementaren Prozesse während des Wachstums dieser Schichten zu e rlangen, wurde zunächst bei höherer Temperatur eine Zwischenschicht e rzeugt auf der anschließend das Wachstum von CaF2 im Submonolagenbe reich untersucht wurde. Der Nukleationstheorie folgend wurde die Diffusio nsbarriere von CaF2/CaF und CaF2/CaF2 über die Temperaturabä ngigkeit (Arrheniusverhalten) der CaF2-Inseldichte bestimmt.