Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption an Oberfl
ächen, Elektronische Struktur, Magnetismus in reduzierten Dimensionen, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Organische Dünnschichten)

O 13.49: Poster

Montag, 11. März 2002, 18:00–21:00, Bereich C

Von dreidimensionalen Kraterstrukturen zu hochperiodischen, eindimensionalen Streifenstrukturen — •Herbert Wormeester, Peter Broekmann, Agnes Mewe, Ronny van Moere und Bene Poelsema — MESA+ Research Institute, University of Twente, The Netherlands

Am Beispiel einer Cu(001)-Oberfläche wird gezeigt, daß der Beschuß von Metalloberflächen mit 800eV Ar-Ionen dazu genutzt werden kann, um in Hinsicht auf Symmetrie und Periodizität verschiedenartige Defektstrukturen zu erzeugen. Bei senkrechtem Einfall des Ionenstrahls ergeben sich 3D-Kraterstrukturen mit ausgeprägter Vierfachsymmetrie. Dabei bestimmt die Probentemperatur während des Ionenbeschusses, ob Stufenkanten der Defektstrukturen präferentiell entlang dichtgepackter {110}-Richtungen oder entlang offenerer {100}-Richtungen verlaufen. Ein Abweichen vom senkrechten Einfall hin bis zu einem streifenden Einfall des Ionenstrahls führt zu einem Bruch der Vierfachsymmetrie mit einer resultierenden Zweifachsymmetrie der geätzten Defektstrukturen. Für einen streifenden Einfall des Ionenstrahls von 80 Grad ergeben sich hochperiodische, eindimensionale Linienstrukturen, die nur ein bis zwei Atomlagen tief sind. Die Vorzugsrichtung der Defektstrukturen bei streifenden Einfall wird alleine durch den einfallenden Ionenstrahl und nicht mehr, wie bei senkrechtem Einfall, durch die Probentemperatur bestimmt.