Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 13: Postersitzung (Adsorption an Oberfl
ächen, Elektronische Struktur, Magnetismus in reduzierten Dimensionen, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Organische Dünnschichten)
O 13.52: Poster
Montag, 11. März 2002, 18:00–21:00, Bereich C
Wachstum und Struktur von Co auf Cu(100) — •Tobias Bernhard1, Rupert Pfandzelter1, Helmut Winter1, Rossitza Pentcheva2, Kristen A. Fichthorn3 und Matthias Scheffler2 — 1Humboldt-Universität, Institut für Physik, Berlin — 2Fritz-Haber-Institut der MPG, Berlin — 3Pennsylvania State University, USA
Wachstum und Struktur von wenigen Monolagen Co auf Cu(100) werden mittels der streifenden Streuung von schnellen, leichten Ionen im Temperaturbereich zwischen 130 K von 470 K untersucht. Mit abnehmender Temperatur finden wir, beginnend bei hohen Temperaturen, Wachstum von Stufenkanten, Lage-für-Lage-Wachstum, anfängliches Doppellagenwachstum und wiedereinsetzendes Lage-für-Lage-Wachstum. Die einzelnen Wachstumsmodi sind korreliert mit charakteristischen Änderungen der Morphologie (Inseldichte) und chemischen Struktur der Filme. So zeigt sich zwischen etwa 300 K und 400 K eine von einem Arrhenius-Verhalten abweichende, nichtmonotone Abhängigkeit der Inseldichte von der Temperatur, in Übereinstimmung mit entsprechenden DFT-Rechnungen. Während wir bei hohen Temperaturen eine nahezu vollständige Terminierung der Multilagen-Co-Filme mit Cu-Atomen beobachten, finden bei tiefen Temperaturen keine Austauschprozesse statt. Ionenstreuexperimente, DFT-Rechnungen und kinetische Monte-Carlo-Simulationen liefern ein mikroskopisches Bild für das Verhalten von Co auf Cu(100) - einem Modellsystem für Durchmischungsphänomene bei heteroepitaktischem Wachstum.