Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption an Oberfl
ächen, Elektronische Struktur, Magnetismus in reduzierten Dimensionen, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Organische Dünnschichten)

O 13.56: Poster

Montag, 11. März 2002, 18:00–21:00, Bereich C

Wachstum und Struktur von Aluminiumoxidfilmen auf Ni(111) — •Dirk Bansemir, Conrad Becker und Klaus Wandelt — Institut für Physikalische und Theoretische Chemie, Universität Bonn, Wegelerstrasse 12, 53115 Bonn

Das Wachstum von Aluminiumoxidfilmen auf Ni(111) wurde mittels LEED und AES im Bereich von 300K bis 1200K untersucht. Die Aluminiumoxid Bildung ist nur erfolgreich, wenn die Ni(111)-Oberfläche mit Sauerstoff vorbelegt wird. Ausgangspunkt dabei ist die bekannte (2x2) O-Struktur die sich bei 300K auf Ni(111) bildet. Auf diese Sauerstoffschicht wurden dann Aluminiumfilme unterschiedlicher Dicke aufgedampft und geheizt. Dabei auftretende Veränderungen der Oberflächenstruktur und -zusammensetzung wurden mittels LEED bzw. AES verfolgt. Bei niedrigen Temperaturen sind keine geordneten Strukturen im LEED sichtbar. Erst nach Tempern oberhalb von 1050K ist mit LEED die Entstehung einer geordneten Überstruktur zu beobachten, die bei T_A > 1200K voll ausgebildet ist. Die Gitterkonstante des gebildeten Films beträgt etwa 3Å. Zudem lässt sich eine (7x7)-Rekonstruktion dieses Films beobachten. Anhand der Auger-Spektren lässt sich diese Struktur eindeutig der Bildung eines Al₂O₃-Films zuordnen.