Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 13: Postersitzung (Adsorption an Oberfl
ächen, Elektronische Struktur, Magnetismus in reduzierten Dimensionen, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Organische Dünnschichten)
O 13.57: Poster
Montag, 11. März 2002, 18:00–21:00, Bereich C
Wechselwirkung von Al mit Cr2O3(0001) und epitaktisches Wachstum geordneter Al2O3-Filme — •Karifala Dumbuya, Klaus Christmann und Sven L.M. Schroeder — Institut für Chemie, Freie Universität Berlin, Takustr. 3, 14195 Berlin, Germany
Das Wachstum dünner Al2O3-Filme auf (0001)-orientierten Cr2O3-Filmen wurde mittels AES und LEED untersucht. Metallisches Al unterläuft auf der Cr2O3(0001)-Oberfläche im Monolagenbereich zur (aus der Chemie wohlbekannten) aluminothermischen Reaktion. Dabei wird Cr teilweise reduziert und dünne polykristalline Al2O3-Kristallite gebildet, die keine mittels LEED bestimmbare Ordnung oder Orientierung aufweisen. Bedampfen mit Al über die Monolage hinaus führt zum Wachstum ungeordneter Al-Filme, die auch durch Behandlung mit O2 (p bis 10−6 mbar) und längeres Tempern nicht in Filme mit erkennbarer Fernordnung überführt werden können. Reaktive Kodeposition von Al und O2 (p = 5 · 10−7 mbar) knapp unterhalb der Al-Desorptionstemperatur erzeugt hingegen epitaktisches Wachstum geordneter Al2O3-Filme. Bis Bedeckungen von mindestens 3 nm (ca. 13 Monolagen, abgeschätzt aus der Abschwächung der Cr LMM-Auger-übergänge) weisen diese Filme das LEED-Bild des Cr2O3(0001)-Templats auf. Aufgrund der ähnlichkeit der Strukturparameter beider Oxide vermuten wir, daß die Orientierung der Filme daher der α-Al2O3(0001)-Oberfläche zuzuordnen ist.