Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption an Oberfl
ächen, Elektronische Struktur, Magnetismus in reduzierten Dimensionen, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Organische Dünnschichten)

O 13.62: Poster

Montag, 11. März 2002, 18:00–21:00, Bereich C

Winkelaufgelöste Photoelektronenbeugung an der reinen und der mit Wasserstoff bedeckten 2x1-Si(100) Oberfläche — •S. Dreiner^1,2, M. Schürmann^1,2, C. Westphal^1,2 und H. Zacharias² — ¹Lehrstuhl für Experimentelle Physik I, Universität Dortmund, Otto-Hahn-Straße 4, 44221 Dortmund — ²Physikalisches Institut, Westfälische Wilhelms-Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Straße 10, 48149 Münster

Zur Bestimmung der Oberflächenstruktur von 2x1-Si(100) Rekonstruktionen mit und ohne H-Terminierung wurden hochaufgelöste Si2p-Photoelektronenspektren über dem gesamten Halbraum mit einer Photonenenergie von hν=179.9 eV bei BESSY II (U41-PGM) aufgenommen. Diese Spektren ermöglichen durch Anpassungsroutinen die Trennung der Oberflächensignale vom Volumensignal. Bei der reinen Oberfläche mit asymmetrischen Dimeren erhält man ein Signal vom oberen Atom und ein Signal vom unteren Atom des Dimers. Bei der mit Wasserstoff bedeckten Oberfläche mit symmetrischen Dimer erhält man das Gesamtsignal beider Dimeratome. Die so für die einzelnen Oberflächenkomponenten erhaltenen Beugungsmuster werden über einen R-Faktor mit Vielfachstreusimulationen [1] verglichen. Dabei werden im Falle der 2x1-Rekonstruktion asymmetrische Dimere in p(2x1)-, p(2x2)- bzw. c(4x2)-Rekonstruktion und im Falle der H-2x1-Rekonstruktion symmetrische Dimere betrachtet. Die R-Faktor-Analyse liefert Strukturparameter für die ersten drei Lagen der Oberfläche.

[1] R. Gunnella, F. Solal, D. Sébilleau, C.R. Natoli, Comput. Phys. Commun. 132, 251 (2000)