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O: Oberflächenphysik

O 16: Elektronische Struktur (III)

O 16.7: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 12:45–13:00, H36

Elektronische Struktur von ein- und zweidimensionalem Gd auf W(110) — •Oliver Rader¹, C. Pampuch¹, G. V. Prudnikova² und A. M. Shikin^1,2 — ¹BESSY, Albert-Einstein-Str. 15, D-12489 Berlin — ²St. Petersburg State University, St. Petersburg 198904, Russia

Wir berichten über quantisierte elektronische Zustände in Gd/W(110), einem Modellsystem für elektronische Struktur und Magnetismus von Seltenen Erden und deren Oberflächen. Wir beobachten mittels winkelaufgelöster Photoemission an getemperten epitaktischen Filmen Quantentrogzustände bis zu 4 Monolagen Dicke und können mit Hilfe eines einfachen Modells die Gd-Bandstruktur daraus bestimmen. Im Submonolagenbereich sehen wir zwei W4f-Rumpfniveauverschiebungen gleichzeitig (bei 250 und 575 meV). Sie treten gemeinsam mit Peaks im Valenzbandbereich auf, die die gleiche Aufspaltung zeigen und von der Spin-Bahn-Gap induzierten W(110)-Oberflächenresonanz (bei 1.3 eV Bindungsenergie) herrühren. Angesichts der lokalen Struktur [1] führen wir dieses Verhalten auf die Ausbildung von atomaren Gd-Ketten zurück.

[1] R. Pascal, Ch. Zarnitz, M. Bode, R. Wiesendanger, Phys. Rev. B 56, 3636 (1997).