Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 17: Oxide und Isolatoren (I)

O 17.6: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 12:30–12:45, H43

Strukturanalyse von Galliumoxid auf CoGa{100} mit oberflächensensitiver Röntgenbeugung — •Reinhard Streitel¹, A. Stierle¹, S. Kumaragurubaran¹, H. Dosch¹ und R. Franchy² — ¹Max-Planck Institut für Metallforschung, Heisenbergstraße 1, 70569 Stuttgart — ²Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik Jülich, D-52425 Jülich

Das Interesse an wohldefinierten, ultradünnen, geordneten Oxidschichten spielt bei der Entwicklung von Katalysatoren, Sensoren und Speicherchips sowie in der Displaytechnik eine zentrale Rolle. In unseren Experimenten mit oberflächensensitiver Röntgenbeugung haben wir die Oxidation von Galliumoxid auf CoGa{100} untersucht. Die Auswertung der Messdaten erlaubt nicht nur eine detailierte Analyse der Dicke und Struktur des Oxids, sondern auch eine Beschreibung von Oberfläche und Interface mit atomarer Auflösung. Zur Bestimmung der Oxidstruktur wurden 22(!) unabhängige Rods angefittet, wobei als Ausgangsmodell die monokline Galliumoxidstruktur verwendet wurde. Dabei zeigt sich eine Modifikation zur monoklinen Bulkstruktur von Galliumoxid besonders in der Position der Ga Atome an Oberfläche und Interface. Die untersuchte Oxidschicht wurde bei 700 K und einem Sauerstoffpartialdruck von 3· 10⁻⁸hPa im Ultrahochvakuum präpariert. Die Messungen wurden an der Europäischen Synchrotronstrahlungsquelle (ESRF) am Strahlrohr ID32 durchgeführt.