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O: Oberflächenphysik
O 17: Oxide und Isolatoren (I)
O 17.6: Talk
Tuesday, March 12, 2002, 12:30–12:45, H43
Strukturanalyse von Galliumoxid auf CoGa{100} mit oberflächensensitiver Röntgenbeugung — •Reinhard Streitel1, A. Stierle1, S. Kumaragurubaran1, H. Dosch1 und R. Franchy2 — 1Max-Planck Institut für Metallforschung, Heisenbergstraße 1, 70569 Stuttgart — 2Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik Jülich, D-52425 Jülich
Das Interesse an wohldefinierten, ultradünnen, geordneten Oxidschichten spielt bei der Entwicklung von Katalysatoren, Sensoren und Speicherchips sowie in der Displaytechnik eine zentrale Rolle. In unseren Experimenten mit oberflächensensitiver Röntgenbeugung haben wir die Oxidation von Galliumoxid auf CoGa{100} untersucht. Die Auswertung der Messdaten erlaubt nicht nur eine detailierte Analyse der Dicke und Struktur des Oxids, sondern auch eine Beschreibung von Oberfläche und Interface mit atomarer Auflösung. Zur Bestimmung der Oxidstruktur wurden 22(!) unabhängige Rods angefittet, wobei als Ausgangsmodell die monokline Galliumoxidstruktur verwendet wurde. Dabei zeigt sich eine Modifikation zur monoklinen Bulkstruktur von Galliumoxid besonders in der Position der Ga Atome an Oberfläche und Interface. Die untersuchte Oxidschicht wurde bei 700 K und einem Sauerstoffpartialdruck von 3· 10−8hPa im Ultrahochvakuum präpariert. Die Messungen wurden an der Europäischen Synchrotronstrahlungsquelle (ESRF) am Strahlrohr ID32 durchgeführt.