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O: Oberflächenphysik

O 19: Halbleiteroberfl
ächen (I)

O 19.3: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 11:45–12:00, H45

Oberflächenstrukturanalyse an BeTe(100)-(2x1) mittels SXRD — •A. Müller¹, W. Weigand¹, L. Hansen², L. Molenkamp², R.L. Johnson³, O. Bunk⁴, C. Kumpf¹ und E. Umbach¹ — ¹Exp. Physik II und — ²Exp. Physik III, Univ. Würzburg — ³II. Institut für Experimentalphysik, Univ. Hamburg — ⁴Risø National Laboratory, Dänemark

Aufgrund der semi-magnetischen Eigenschaften Mn-haltiger II-VI-Halbleiter (z.B. für Spinventile, Spinaligner, Spinfilter etc.) ist das Interesse an den Eigenschaften von Ober- und Grenzflächen der II-VI-Halbleiter in letzter Zeit wieder stark gestiegen. In diesem Zusammenhang berichten wir über surface-x-ray-diffraction-Experimente (SXRD) zur Strukturaufklärung an der (2x1)-rekonstruierten Oberfläche von epitaktischen BeTe-Schichten auf GaAs(001). Die Messungen wurden an der Beamline BW2 am HASYLAB, DESY durchgeführt. Ramanmessungen, die ebenfalls an der Univ. Würzburg an identischen Proben durchgeführt wurden [1], lassen auf die Präsenz von Te-Dimeren an der Oberfläche schließen. Die BeTe(001)-Oberfläche wurde unter UHV in der MBE der Univ. Würzburg präpariert und mit einer Se-Te-Schutzkappe versehen. Unter N₂-Atmosphäre wurde die Probe zum HASYLAB transportiert und durch Abheizen der Kappe unter LEED-Kontrolle präpariert. An der (2x1)-rekonstruierten Probe wurden in-plane und out-of-plane Daten gemessen und daran verschiedene Strukturmodelle getestet. Wir stellen ein genaues Modell der BeTe-Oberfläche vor, aus dem sich die exakten Atompositionen bestimmen lassen.

[1] J.Wagner et al., erscheint in phys. stat. sol. (b) 229, No. 1/2 (2002)