Regensburg 2002 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 19: Halbleiteroberfl
ächen (I)

O 19.7: Talk

Tuesday, March 12, 2002, 12:45–13:00, H45

Charakterisierung von HL-Grenzflächen mit diffuser Röntgenstreuung: Vergleich von MBE, MOVPE und Sputter-Techniken — •Ingo Busch und Jürgen Stümpel — Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Braunschweig

Die diffuse Röntgenstreuung bietet die Möglichkeit der zerstörungsfreien Untersuchung von Grenzflächen an Dünnschichtsystemen. Sie ist ein Spezialfall der Röntgenbeugungstechniken in koplanarer Geometrie unter streifendem Einfall. Durch die besondere Streugeometrie ist die Methode sensitiv auf die Grenzflächen von Übergitterstrukturen. Die statistischen Größen Rauhigkeit, laterale und vertikale Korrelationslängen werden durch Vergleich mit streutheoretischen Modellen (z. B. DWBA) extrahiert.

Im Vortrag werden die theoretischen Grundlagen der diffusen Röntgenstreuung kurz vorgestellt. Erste vergleichende Messungen an verschiedenen Vielschichtsystemen aus III/V-Halbleitern, mit unterschiedlichen Methoden (MBE, MOVPE, Sputtern) produziert, werden präsentiert.