Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 25: Teilchen und Cluster

O 25.3: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 16:45–17:00, H45

STS an Silberinseln auf Ge(001) — •K.-L. Jonas¹, V. von Oeynhausen¹, W. Ernst², H. Pfnür² und K.-H. Meiwes-Broer¹ — ¹Fachbereich Physik, Universität Rostock, Universitätsplatz 3, D-18051 Rostock — ²Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr. 2, 30167 Hannover

Wachstum, topographische und elektronische Struktur von Metall-Halbleiter Systemen werden vielfach mittels Tunnelmikroskopie untersucht [1,2].

In dem hier vorgestellten Experiment werden Silberinseln auf einer gestuften Ge(001)-Oberfläche präpariert und mit Tunnelmikroskopie und -spektroskopie bei tiefen Temperaturen (5K) charakterisiert. Die Silberinseln wachsen entlang der Dimerreihen des Germaniums. Bei tiefen Temperaturen dominiert 2D-Wachstum, während bei Raumtemperatur aufgedampftes Silber hauptsächlich 3D-Wachstum zeigt. Die Grenzschicht wird bestimmt durch die Absättigung der offenen Halbleiterbindungen durch die Metallatome. Es ist zu erwarten, daß dadurch unter den Silberinseln die (2x2)-Rekonstruktion aufgehoben ist. Die Ausbildung einer Schottky-Barriere im Bereich der Grenzschicht läßt damit verbundene Effekte des elektrischen Transportes erwarten wie sie mit STS z.B. an Silberinseln auf GaAs(110) [1] und an Bleiinseln und -filmen auf Si(111) [2] beobachtet wurden.

[1] C.S. Jiang, T. Nakayama, and M. Aono, Appl.Phys.Lett. 74 (1999) 1716

[2] I.B. Altfeder, D.M. Chen, K.A. Matveev, Phys.Rev.Lett. 80 (1998) 4895