Regensburg 2002 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 25: Teilchen und Cluster

O 25.6: Talk

Tuesday, March 12, 2002, 17:30–17:45, H45

Methode zur Bestimmung der Dephasierungszeit von Oberflächenplasmonen in adsorbatbedeckten metallischen Nanoteilchen — •C. Hendrich, T. Ziegler, J. Bosbach, T. Vartanyan, F. Stietz und F. Träger — Experimentalphysik I, Universität Kassel, Heinrich-Plett-Str. 40, 34132 Kassel

Zur Untersuchung des „chemical interface damping“ bei der ultraschnellen Relaxation von Plasmonanregungen in metallischen Nanoteilchen wurde eine Methode entwickelt, die die Messung der Dephasierungszeit T₂ von Clustern innerhalb einer Form- und Größenverteilung ermöglicht [1,2]. Die neue Technik basiert auf spektralem Lochbrennen mit Nanosekunden-Laserpulsen in das inhomogen verbreiterte Absorptionsprofil eines Clusterensembles, das durch selbstorganisiertes Wachstum auf einem dielektrischen Substrat präpariert wird. Da dieses Verfahren nicht auf bestimmte Teilchengrößen und -formen sowie Substratunterlagen beschränkt ist und die Messungen im Ultrahochvakuum durchgeführt werden, kann die dielektrische Umgebung der Nanostrukturen kontrolliert verändert werden. In diesem Beitrag werden erste Messungen der Dephasierungszeit von metallischen Clustern, die mit SO₂ als Adsorbat bedeckt sind, vorgestellt. Außerdem wird anhand von Nanoteilchen mit einer SiO₂-Schicht die breite Anwendbarkeit der Technik demonstriert. In beiden Fällen führt die gezielte Veränderung der dielektrischen Umgebung der Teilchen zu einer Änderung der Dephasierungszeit der Plasmonanregung.

[1] F. Stietz et al., Phys. Rev. Lett. 84, 5644 (2000)

[2] J. Bosbach et al., Eur. Phys. Jour. D 16, 213 (2001)