Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 26: Postersitzung (Rastersondentechniken, Nanostrukturen, Teilchen und Cluster, Methodisches, Oxide und Isolatoren, Grenzfl
äche fest-flüssig, Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Zeitaufg. Spektroskopie, Phasenüberg
änge

O 26.12: Poster

Mittwoch, 13. März 2002, 14:30–17:30, Bereich C

Topografische Modifizierung von Siliziumoxiden mittels leitfähiger Rasterkraftmikroskopie — •Sascha Kremmer, Sven Peissl, Christian Teichert und Friedemar Kuchar — Institut für Physik, Montanuniversität Leoben, Austria

In den letzten Jahren fanden verstärkt Untersuchungen zur Erzeugung von Nanostrukturen mittels spannungsinduzierter Oxidation statt. Im Rahmen dieser Arbeit kommt die leitfähige Rasterkraftmikroskopie zur Oberflächenmodifikation von thermisch gewachsenen Siliziumoxiden zum Einsatz. Hierbei wird eine Spannung an die Probe angelegt und der Strom durch den dielektrischen Film gemessen. Bei Überschreiten einer Schwellspannung entstehen in Folge eines Oxidationsprozesses Strukturen mit lateralen Ausdehnungen im 100 nm Bereich. Die Oxidationsausgangsprodukte liefert ein Wasserfilm, welcher durch Luftfeuchtigkeit auf der Probenoberfläche gebildet wird. Es wird die Abhängigkeit der Grenzspannung von der Ausgangsdicke der thermischen Oxide und die Entwicklung der Strukturdimensionen als Funktion der Spannungshöhe und der Spannungspulsdauer untersucht. Die Unterschiede im Oxidationsverhalten für positive und negative Spannungspolarität werden aufgezeigt. Die Ergebnisse sollen zum besseren Verständnis der Oxidationsprozesse beitragen.