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O: Oberflächenphysik
O 26: Postersitzung (Rastersondentechniken, Nanostrukturen, Teilchen und Cluster, Methodisches, Oxide und Isolatoren, Grenzfl
äche fest-flüssig, Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Zeitaufg. Spektroskopie, Phasenüberg
änge
O 26.30: Poster
Mittwoch, 13. März 2002, 14:30–17:30, Bereich C
Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie an Halbleiter-Quantenpunkten — •Theophilos Maltezopoulos1, Arne Bolz1, Jan Klijn1, Christian Meyer1, Christian Heyn1, Dimitri Talapin2, Andrey Rogach2, Markus Morgenstern1 und Roland Wiesendanger1 — 1Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, D-20355 Hamburg — 2Institut für Physikalische Chemie, Universität Hamburg, Bundesstraße 45, D-20146 Hamburg
Mittels Ultrahochvakuum-Tieftemperatur-Rastertunnelspektroskopie sollen die quadrierten Wellenfunktionen der Elektronenzustände in Halbleiter-Quantenpunkten abgebildet werden. Es werden zwei Systeme untersucht: 1. verspannungsinduzierte InAs-Quantenpunkte, die mittels Molekularstrahlepitaxie auf GaAs(001) aufgebracht wurden und 2. naßchemisch hergestellte ligandenstabilisierte InP- und InAs-Halbleitercluster, die mittels eines Haftvermittlers (Hexandithiol) auf Gold immobilisiert werden. Erfolgreiche Rastertunnelmikroskopie-Abbildungen ohne spitzeninduzierte Mobilität an allen Systemen sowie erste Rastertunnelspektroskopie-Kurven werden vorgestellt.