Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 26: Postersitzung (Rastersondentechniken, Nanostrukturen, Teilchen und Cluster, Methodisches, Oxide und Isolatoren, Grenzfl
äche fest-flüssig, Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Zeitaufg. Spektroskopie, Phasenüberg
änge

O 26.4: Poster

Mittwoch, 13. März 2002, 14:30–17:30, Bereich C

Photolumineszenz-Nahfeldmikroskop zur Untersuchung von Dünnfilm-Solarzellen bei tiefen Temperaturen — •Tristan Crecelius, Gereon Meyer, Günter Kaindl und Andreas Bauer — Institut für Experimentalphysik, Freie Universität Berlin

Für die Charakterisierung und Optimierung des Herstellungsprozesses von Dünnfilm-Solarzellen auf der Basis von polykristallinen Chalkopyrit-Absorbern [1] werden Informationen zur lokalen elektronischen Struktur mit sub-µm Ortsauflösung benötigt. Hierfür wurde ein UHV-Photolumineszenz-Rasternahfeldmikroskop (PL-SNOM) aufgebaut, das in der Lage ist, PL-Spektren an beliebigen Probenpostitionen mit einer Ortsauflösung von etwa 300 nm bei variabler Temperatur (≈20–450 K) zu messen.

Anhand von PL-Intensitätsbildern, die bei verschiedenen Wellenlängen aufgenommen wurden, zeigte sich eine inhomogene Intensitätsverteilung mit einer starken Abhängigkeit von der Wellenlänge. Vergleiche mit den dazugehörigen Topographiebildern zeigten, dass das PL-Signal nur zum Teil mit der grobkörnigen (1µ m) Struktur der Oberfläche korreliert war.

Das Projekt wurde im Rahmen des EFRE-Vorhabens Arbeitsgemeinschaft Solare Materialien (ASM) gefördert.

[1] Die Proben wurden am Hahn-Meitner-Institut Berlin in der Abteilung von Prof. Dr. M.Ch. Lux-Steiner hergestellt.