Regensburg 2002 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 26: Postersitzung (Rastersondentechniken, Nanostrukturen, Teilchen und Cluster, Methodisches, Oxide und Isolatoren, Grenzfl
äche fest-flüssig, Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Zeitaufg. Spektroskopie, Phasenüberg
änge

O 26.72: Poster

Wednesday, March 13, 2002, 14:30–17:30, Bereich C

Untersuchungen zur Energetik und Dynamik von Elektronen an MOCVD-gewachsenen III-V-Halbleiter Oberflächen — •Lars Töben, Thomas Hannappel, Lars Gundlach, Rainer Eichberger, Kristof Möller und Frank Willig — Hahn-Meitner-Institut, Abteilung SE 4, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin

Informationen über die elektronische Struktur und die Dynamik von Elektronen an III-V-Halbleiteroberflächen können für die Präparation von Dünnschicht-Bauelementen von großer Wichtigkeit sein. Phosphor-terminierte, (2x1)-artig und Kation-terminierte, (2x4)-rekonstruierte InP(100) und GaP(100) Oberflächen wurden nach der MOCVD - Präparation mittels Ultraviolettphotoelektronen-Spektroskopie (UPS) und Tieftemperatur-Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie (TT-RAS) im UHV umfassend charakterisiert.

Energie- und zeitaufgelöste 2-Photonen-Photoemission mit einer Zeitauflösung von besser als 100 fs wurde zur Untersuchung der Energetik und der Elektronendynamik der unbesetzten Zustände im Leitungsband eingesetzt. Die Anregung erfolgte mit verschiedenen Photonenenergien im Bereich vom Leitungsbandminimum bis zu 1,2 eV oberhalb der Bandkante. Die elektronische Struktur und das Relaxationsverhalten der Elektronen an zwei verschiedenen atomar geordneten Oberflächen (Hannappel et.al., Surf.Sci. 470, L1, (2000)) von InP(100)-Oberflächen wird verglichen.