Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 26: Postersitzung (Rastersondentechniken, Nanostrukturen, Teilchen und Cluster, Methodisches, Oxide und Isolatoren, Grenzfl
äche fest-flüssig, Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Zeitaufg. Spektroskopie, Phasenüberg
änge
O 26.74: Poster
Mittwoch, 13. März 2002, 14:30–17:30, Bereich C
Heterogene Nukleation dünner Schichten von Phasenwechselmaterialien auf Te-Basis — •Axel Heinrici, Stefan Ziegler und Matthias Wuttig — 1. physikalisches Institut, RWTH-Aachen
In den vergangen Jahren wurde mit großem Aufwand die Kinetik von Phasenwechselschichten untersucht. In dieser Arbeit wird der Einfluss der Grenzschichten auf die Kristallisation von Ge4Sb1Te5 und Ge2Sb2Te5 bestimmt. Diese beeinflussen neben den thermischen Eigenschaften auch die Keimbildung selbst. So kann die Kristallisationsdauer entscheidend beeinflusst werden. Wir verwenden einen statischen Prüfstand, um die Schichten lokal zu kristallisieren. Anhand der Reflektivitätsänderung während der laserinduzierten Kristallisation lässt sich die Kinetik auf der Nanosekunden-Zeitskala studieren. Da mit der Phasenumwandlung eine Dichte- und somit eine Volumenänderung einhergeht, bietet sich die Rasterkraftmikroskopie an, um den Fortschritt der Kristallisation zu messen. Wir zeigen den Einfluss verschiedener kristalliner und amorpher Grenz- und Deckschichten auf die Umwandlungskinetik.