Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 27: Hauptvortrag

O 27.1: Hauptvortrag

Donnerstag, 14. März 2002, 09:30–10:15, H36

Einflüsse von Geometrie und elektronischer Struktur auf die Reaktivität bimetallischer Oberflächen — •G. Held — University of Cambridge, Department of Chemistry, Lensfield Road, Cambridge CB2 1EW, UK

Bei bimetallischen Oberflächen sind die Abstände und die chemischen Umgebungen der Atome gegenüber reinen Metalloberflächen verändert. Die Auswirkungen dieser Veränderungen auf die elektronische Struktur und die Reaktivität solcher Oberflächen werden an Hand wohldefinierter dünner Schichten von Metallatomen (Co, Ni, Cu, Zn) im Vergleich mit reinen Metalloberflächen untersucht. Die geometrische Struktur der Oberflächen wird hauptsächlich charkterisiert durch Elektronenbeugung (LEED–IV) und Rumpfelektronenspektroskopie (XPS) und korreliert mit Information über die elektronische Struktur aus Valenzelektronenspektren (UPS). Zur Charakterisierung der Reaktivitäten dienen Sondenmolekülen wie Kohlenmonoxid und Benzol, deren Adsorptionsverhalten mit den oben genannten Methoden und Temperatur–programmierter Desorption untersucht wird. Im Ggegensatz zu reinen Oberflächen bieten dünne Metallschichten außerdem die Möglichkeit, mittels XPS zielgenau die Wechselwirkungen zwischen den obersten Substratatomen und Adsorbaten zu untersuchen. Elektronische Einflüsse äußern sich bei den hier untersuchten Systemen im Wesentlichen durch Änderungen der Bindungsstärke (Desorptionstemperatur). Abhängig davon, welche Adsorptionsplätze die Sondenmoleküle bevorzugen, findet man aber zum Teil sehr starke geometrische Einflüsse auf Adsorbtionsgeometrien und Dissoziationswahrscheinlichkeiten.