Regensburg 2002 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 28: Hauptvortrag

O 28.1: Invited Talk

Thursday, March 14, 2002, 10:15–11:00, H36

Photoelektronenbeugung an inneren Grenzflächen — •Carsten Westphal — Universität Dortmund, Lehrstuhl für Experimentelle Physik I, Otto-Hahn-Straße 4, 44221 Dortmund

Über verborgene Schichten innerhalb der ersten 3-20 Lagen unter der Oberfläche ist bis heute wenig bekannt, da sie sich den meisten experimentellen und theoretischen Methoden entziehen. Neu ist, daß diese Schichten dicht unter der Oberfläche die physikalischen Eigenschaften mit bestimmen. Verborgene Schichten und Grenzflächen lassen sich mit der Photoelektronenbeugung untersuchen, auf diese Technik wird kurz zu Beginn eingegangen.

Im Vortrag werden die Ergebnisse von epitaktisch gewachsenen Filmen vorgestellt, hierbei können elementspezifisch die Strukturparameter dicht unter der Oberfläche bestimmt werden. Eisenoxyd auf Platin dient als Beispiel für ein Metalloxyd auf einem Metall [1]. Als weiteres Beispiel werden die Ergebnisse vom Siliziumoxyd diskutiert. Siliziumoxyd wird in der Anwendung bei Halbleiterbauelementen vielfältig als Isolatormaterial eingesetzt, dabei ist der Übergang vom ungeordneten Siliziumoxyd zum Silizium in der Volumenstruktur unbekannt. Mit der Photoelektronenbeugung konnte erstmals die atomare Anordnung dieser Grenzfläche zerstörungsfrei bestimmt werden [2].

[1] Y.J. Kim, C. Westphal, R.X. Ynzunza, Z. Wang, H.C. Galloway, M. Salmeron, M.A. Van Hove, and C.S. Fadley, Surf. Sci. 416, 68 (1998)

[2] S. Dreiner, M. Schürmann, C.Westphal, and H. Zacharias, Phys. Rev. Lett. 86, 4068 (2001)