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Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 29: Adsorption an Oberfl
ächen (III)

Donnerstag, 14. März 2002, 11:15–13:15, H43

11:15 O 29.1 Röntgenabsorptions- und -emissionspektroskopie von Ethylen adsorbiert auf der eindomänigen Si(001)-(2x1) Oberfläche — •F. Hennies, A. Föhlisch, W. Wurth, N. Witkowski, M. Nagasono und M.N. Piancastelli
11:30 O 29.2 Die lokale Adsorptionsstruktur von Ethin auf Si{100} — •R. Terborg, P. Baumgärtel, R. Lindsay, O. Schaff, T. Gießel, J.T. Hoeft, M. Polcik, R.L. Toomes, S. Kulkarni, A.M. Bradshaw und D.P. Woodruff
11:45 O 29.3 The structure of step-edge sites for chlorine adsorption on Si(111) — •J. I. Flege, Th. Schmidt, J. Falta, G. Materlik, M. Çakmak, and G. P. Srivastava
12:00 O 29.4 Untersuchung der Adsorption von Bi/Si(113) — •Thomas Schmidt, Jan Müller und Jens Falta
12:15 O 29.5 Adsorption von Sb und Bi auf der Si(001) Oberfläche - Verspannung und Morphologie — •P. Kury, Th. Grabosch, R. Hild und M. Horn-von Hoegen
12:30 O 29.6 Diffusion and nucleation mechanisms of metallic atoms on Si(111)7×7: Kinetic Monte Carlo simulations analysis — •C. Polop and E. Vasco
12:45 O 29.7 Hydrogen Adsorption on Si(001): a Quantum Monte Carlo study — •Peter Kratzer, Sorcha Healy, Claudia Filippi, Eckhard Pehlke, Evgeni Penev, and Matthias Scheffler
13:00 O 29.8 Optische Eigenschaften von Si(110):H - Der Einfluß von Selbstenergie, Exzitonischen und Local-Feld Effekten — •Patrick Hahn, Wolf-Gero Schmidt und Friedhelm Bechstedt
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