Regensburg 2002 – scientific programme
Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
O: Oberflächenphysik
O 29: Adsorption an Oberfl
ächen (III)
O 29.1: Talk
Thursday, March 14, 2002, 11:15–11:30, H43
Röntgenabsorptions- und -emissionspektroskopie von Ethylen adsorbiert auf der eindomänigen Si(001)-(2x1) Oberfläche — •F. Hennies1, A. Föhlisch1, W. Wurth1, N. Witkowski2, M. Nagasono3 und M.N. Piancastelli4 — 1Universität Hamburg, Institut für Experimentalphysik, Luruper Chaussee 149, 22761 D-Hamburg — 2Laboratoire d’Optique des Solides, Case 80, 4 Place Jussieu, 75252 Paris 05, France — 3Institute for Molecular Science, Okazaki 444-8585, Japan — 4Department of Chemical Sciences and Technologies, University of Roma „Tor Vergata“, 00133 Rome, Italy
Wir führten an Adsorbaten auf Halbleiteroberflächen die ersten Untersuchungen mit resonanter inelastischer Röntgenstreuung (RIXS) durch. Mit RIXS können die besetzten elektronischen Valenzzustände atomspezifisch und mittels winkelaufgelöster Messung des emittierten Röntgenlichts symmetrieselektiv charakterisiert werden. Auf Metallen konnte in den letzten Jahren mit dieser Methode ein vertieftes Verständnis der elektronischen Struktur der Oberflächenbindung in Adsorbatsystemen erlangt werden.
Ethylen adsorbiert auf gestuften Si(001)-Oberflächen in einer Domäne in eindeutiger Orientierung. NEXAFS-Messungen an der Kohlenstoff K-Kante zeigen bei Anregung mit E-Vektor senkrecht zur Oberfläche zwei deutliche Resonanzen, die der C-Si-Bindung und der π∗CH2 zugeordnet wurden. Nach Anregung in diese Resonanzen kann dank der Adsorbatorientierung Röntgenemission getrennt in allen drei Raumrichtungen bezüglich der C-C-Bindungsachse gemessen werden. Wir stellen die orbitalsymmetrieaufgelösten Ergebnisse dieser Messungen vor.