Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 29: Adsorption an Oberfl
ächen (III)
O 29.2: Vortrag
Donnerstag, 14. März 2002, 11:30–11:45, H43
Die lokale Adsorptionsstruktur von Ethin auf Si{100} — •R. Terborg1, P. Baumgärtel1, R. Lindsay1, O. Schaff1, T. Gießel1, J.T. Hoeft2, M. Polcik1, R.L. Toomes2, S. Kulkarni3, A.M. Bradshaw1 und D.P. Woodruff2,1 — 1Fritz-Haber-Institut der MPG, Faradayweg 4-6, 14195 Berlin — 2University of Warwick, Coventry CV4 7AL, UK — 3Physics Department, University of Pune, Poona 411007, Maharashtra, Indien
Die Adsorption von Ethin auf Si{100} war schon Gegenstand vieler Untersuchungen. Theoretischen Studien zufolge gehen die Ethinmoleküle dabei eine di-σ-Bindung ein, bei der die C-C-Bindungsachse parallel zu den Si-Dimeren liegt und die C-Atome nahe der atop-Position lokalisiert sind. Mit Hilfe von Photoelektronenbeugung im scanned-energy Modus (PhD) wurde diese Annahme von uns bestätigt, eine weitere PhD-Studie [1] gibt jedoch eine ganz andere Struktur an, bei der die C-Atome zwischen den Si-Dimeren liegen.
Um diesen Widerspruch zu lösen, haben wir weitere PhD-Experimente bei verschiedenen Temperaturen durchgeführt. Die neuen Messungen bestätigen die Dominanz der atop-Geometrie unter den verschiedenen Bedingungen. Es gibt keinen direkten Hinweis auf eine weitere Spezies, obwohl die Übereinstimmung mit dem Experiment durch Hinzunahme von weiteren niedrig symmetrischen Adsorptionsplätzen verbessert werden konnten.
[1] S.H. Xu et al., Phys. Rev. Lett. 84, 939 (2000)