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O: Oberflächenphysik
O 29: Adsorption an Oberfl
ächen (III)
O 29.5: Talk
Thursday, March 14, 2002, 12:15–12:30, H43
Adsorption von Sb und Bi auf der Si(001) Oberfläche - Verspannung und Morphologie — •P. Kury, Th. Grabosch, R. Hild und M. Horn-von Hoegen — Inst. f. Laser- und Plasmaphysik, Uni Essen
Das Wachstum glatter, defektarmer Ge-Schichten auf Si ist
von hohem Interesse für die Herstellung schneller p-Kanal
MOS-FETs. Ein Hindernis stellt dabei der Unterschied der
Gitterkonstanten von etwa 4,2 % zwischen beiden Materialien
dar, wodurch die Ge-Filme stark verspannt sind.
Eine Modifikation des Wachstums durch gleichzeitiges Angebot
von z.B. Sb, As oder Bi kann zu glatten, über periodische
Versetzungsnetzwerke gitterfehlangepaßte Ge Schichten führen.
Um die Energetik der dabei involvierten Prozesse zu verstehen,
werden die Verspannung der adsorbat-bedeckten Fläche
mit einer optischen Lichtzeigermethode ( SSIOD ) und die Morphologie
in vivo mit hochauflösender Beugung niederenergetischer Elektronen
( SPA-LEED ) und ex vivo mit Rastertunnelmikroskopie ( STM ) gemessen.
Es werden Messungen der Verspannung der Si(001)
Oberfläche bei Bedeckungen bis zu 1 ML von Sb und Bi
vorgestellt, die einerseits insbesondere für Sb dramatische Unterschiede
von bis zu 5Nm je nach Temperatur aufweisen, andererseits
auch gerade bei Niedrigst-Bedeckungen um 1/20ML
gemeinsam ein Zugspannungs-Maximum zu Beginn der Adsorption
zeigen, das etwa 3Nm/ML entspricht.
Modelle zur Erklärung beider Effekte werden vorgestellt.