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O: Oberflächenphysik
O 3: Elektronische Struktur (I)
O 3.2: Vortrag
Montag, 11. März 2002, 11:30–11:45, H36
Resonante inelastische Röntgenstreuung an BeS — •O. Fuchs1, L. Weinhardt1, C. Heske1, E. Umbach1, A. Fleszar2, C. Bostedt3, L.J. Terminello3 und R.C.C. Perera4 — 1Experimentelle Physik II, — 2Theoretische Physik I, Universität Würzburg — 3Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, CA, USA — 4Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA, USA
Unter den schwefelhaltigen II-VI-Halbleitern ist Berylliumsulfid (BeS) das einzige Material, zu dem bisher keine experimentellen Untersuchungen zur elektronischen Bandstruktur veröffentlicht wurden. Der Hauptgrund dafür ist die grosse Bandlücke (indirekt: 4,4 eV, direkt: 7,3 eV), die eine Anwendung der weit verbreiteten Methode der Photoelektronenspektroskopie unmöglich macht. Dagegen können mit resonanter inelastischer Röntgenstreuung (RIXS) sowie Röntgenabsorption mit Fluoreszenzdetektion an pulverförmigem BeS vielfältige Informationen über die elektronische Struktur gewonnen werden. Das von der Anregungsenergie abhängige hochaufgelöste Kα-Emissionsspektrum von BeS enthält detaillierte Informationen über die Valenzbandstruktur, da Anregung knapp oberhalb der Absorptionskante zu überwiegend k-erhaltender resonanter Emission führt. Diese wird auf der Grundlage des Kramers-Heisenberg-Formalismus diskutiert und mit simulierten Emissionsspektren aus LDA- und GW-Bandstrukturrechnungen verglichen. Zusätzlich enthüllen die gemessenen Emissions- und Absorptionsspektren eine Oxidation des BeS an der Oberfläche. Schliesslich können bei Anregung unterhalb der Absorptionskante elektronische Raman-Prozesse beobachtet werden. (Gefördert von der DFG über den SFB 410, TP B3).