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O: Oberflächenphysik

O 30: Methodisches (Experiment und Theorie)

O 30.7: Vortrag

Donnerstag, 14. März 2002, 12:45–13:00, H44

Elektrische Rasterkraftspektroskopie auf Halbleiteroberflächen — •Falk Müller¹, Anne-D. Müller¹, Jürgen Middeke¹, Heike Angermann² und Michael Hietschold¹ — ¹Chemnitz University of Technology, Solid Surfaces Analysis Group, D-09107 Chemnitz — ²Hahn Meithner Institute, Department of Photovoltaik, Kekulestr. 5 D-12489 Berlin

Durch die Detektion elektrischer Kräfte im Rasterkraftmikroskop (AFM) können einerseits Oberflächenpotentiale und Spitze-Probe-Kapazitäten gleichzeitig mit der Topographie aufgezeichnet werden. Andererseits erlaubt die energieabhängige Spektroskopie der elektrischen Kräfte eine Untersuchung der Oberflächenbandstruktur. Aus den Abbildungen und Kurven können Bandlücken, Oberflächenzustände und Ladungsverteilungen bestimmt werden.

Dieser Beitrag zeigt methodologische Arbeiten, bei denen in numerischen Simulationen errechnetete Kennlinien mit experimentellen Daten verglichen werden. Für die experimentellen Arbeiten wurde beispielsweise H-passiviertes Silizium verwendet, das einige Minuten nach der Präparation unter Normalbedingungen stabil bleibt. Die numerischen Simulationen wurden mit verschiedenen physikalischen Modellen und zwei unterschiedlichen Programmen durchgeführt, welche so weiterentwickelt wurden, dass direkt die im Experiment zugänglichen spannungsabhängigen elektrischen Signale errechnet werden können.