Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 31: Halbleiteroberfl
ächen (II)

O 31.2: Vortrag

Donnerstag, 14. März 2002, 11:30–11:45, H45

Stufenstruktur der GaAs(2 5 11)-Oberfläche — •Yevgeniy Temko, Takayuki Suzuki und Karl Jacobi — Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Faradayweg 4-6, D-14195 Berlin

Vizinale GaAs(2 5 11)-Oberflächen wurden mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) präpariert und in- situ mit dem Rastertunnelmikroskop (STM) untersucht. Atomar-aufgelöste Aufnahmen bestätigen das für GaAs(2 5 11) vorgeschlagenen Modell, demgemäss die Oberfläche aus geneigten As-Dimeren besteht [1]. Die ausgedehnten, atomar glatten GaAs(2 5 11)-Terrassen sind durch Stufen entlang [311], [453] und [231] getrennt. Diese Richtungen entsprechen den hochsymmetrischen Richtungen, die von den Elektronenbeugungsexperimenten (RHEED und LEED) bekannt sind [2]. Die Stufen entlang [453] und [231] entsprechen den Schnittlinien der (2 5 11)-Oberfläche mit den niederenergetischen (113)A- und (111)A-Oberflächen. Der schon beobachtete [1,2] Zwei-Dimer-Streifen entlang [231] wird als Stufe zwischen zwei (2 5 11)-Atomebenen identifiziert.

[1] L. Geelhaar, J. Márquez, P. Kratzer, and K. Jacobi, Phys. Rev. Lett. 86, 3815 (2001). [2] L. Geelhaar, Y. Temko, J. Márquez, P. Kratzer, and K. Jacobi, Phys. Rev. B, im Druck.