Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 31: Halbleiteroberfl
ächen (II)
O 31.5: Vortrag
Donnerstag, 14. März 2002, 12:15–12:30, H45
Adsorbatinduzierte Strukturierung dünner Isolatorfilme — •W. Ernst1, J. Zachariae1, M. Eichmann1, K.-L. Jonas2, V. von Oeynhausen2, K.H. Meiwes-Broer2 und H. Pfnür1 — 1Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr. 2, D-30167 Hannover — 2Fachbereich Physik, Universität Rostock, Universitätsplatz 3, D-18055 Rostock
Wir zeigen ein erstes Beispiel zur Strukturierung eines dünnen Isolatorfilms mit Hilfe einer adsorbatinduzierten Rekonstruktion des Substrates, in diesem Fall NaCl auf einer Natrium-modifizierten Ge(100)–Oberfläche. NaCl wächst nahezu perfekt auf reinem Ge(100) auf Grund des geringen Misfits der beiden Materialien. Vor der NaCl–Expitaxie wurden verschiedene Strukturen des Systems Na/Ge(100) mit STM und LEED charakterisiert. Bei einer Bedeckung von 1/18 ML bilden die Alkaliatome Reihen mit einem Abstand von sechs Oberflächengitterkonstanten (24 Å) voneinander. Die Dimerisierung wird lokal unterhalb der Na-Reihen zerstört, bleibt aber zwischen den Reihen erhalten. Die Struktur einer danach deponierten NaCl–Schicht (ca. 10 ML dick) wurde mit LEED vermessen. Die Hauptstrukturreflexe des NaCl–Gitters zeigen nun Satelliten auf 1/6–Positionen. Wie am Na/Ge–Interface tritt also auch auf der NaCl–Oberfläche eine sechsfache Periodizität auf. Eine energieabhängige Analyse der relativen Intensitäten der Satelliten–Spots und der Vergleich mit Simulationen in kinematischer Näherung zeigen, dass der NaCl–Film ein wellenartiges Höhenprofil mit einer Amplitude von ca. 0.25 Å aufweist. Die Ursache für dieses Phänomen ist die hill–and–valley–Struktur des Interface.