Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 31: Halbleiteroberfl
ächen (II)

O 31.8: Vortrag

Donnerstag, 14. März 2002, 13:00–13:15, H45

Bi induzierte Mikrofacetten auf einer Ge(113)-Oberfläche — •A. Hirnet, M. Albrecht, M. Gierer und W. Moritz — Institut für Kristallographie und Angewandte Mineralogie, Universität München, Theresienstr. 41, 80333 München

Bei der Adsorption von Bi auf einer Ge(113)-Oberfläche treten mit zunehmender Bi-Bedeckung eine Reihe von (1×n)-Überstrukturen (mit n= 3,4,5,8) auf. Im Gegensatz zu den (001)- und den (111)-Oberflächen bleibt die Oberfläche während des Adsorptionsvorgangs nicht glatt, sondern es bilden sich ab einer Bi-Bedeckung von ca. 0.7ML Mikrofacetten. Das Wachstum des Bi-Films und die Struktur der (1×4)-Rekonstruktion wurde mit hochaufgelöster Elektronenbeugung (SPA-LEED), Augerelektronenspektroskopie (AES) und Oberflächenröntgenbeugung (SXRD) untersucht. Die Röntgenstrukturanalyse ergab drei verschiedene Adsorptionsplätze. 4 Bi-Atome adsorbieren auf dem für die Ge(113)-Oberfläche typischen dreifachkoordinierten Ad-Platz. Zusätzlich treten zwei Bi-Dimere auf, wie sie auch auf der (001)-Oberfläche vorkommen. Diese Bi-Adsorbatatome sind auf der (114)-Mikrofacette angeordnet. Die zweite Mikrofacette konnte als (111)-Facette identifiziert werden. Wie auf der reinen (111)-Oberfläche adsorbiert dort das Bi in Form eines Trimers (Milk-Stool).