Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 33: Epitaxie und Wachstum (II)
O 33.4: Vortrag
Donnerstag, 14. März 2002, 16:15–16:30, H44
Einfluß von präadsorbiertem Sauerstoff auf das Wachstum von Al auf Al(111) — •Zhao Zhong1, Henri Hansen1, Winfried Langenkamp1, Miroslav Kotrla2 und Thomas Michely1 — 1I. Physikalisches Institut, RWTH Aachen, 52056 Aachen — 2Institute of Physics, Academy of Sciences, Na Slovance 2, 182 21 Prague 8, Czech Republic
Präadsorption einer kleinen Menge von Sauerstoffatomen auf Al(111) führt zu einer Erhöhung der Sättigungsinseldichte um etwa eine Zehnerpotenz. Die Bestimmung der Dissoziationsenergie des Dimers anhand der Einsatztemperatur für die Dimerdissoziation liefert für den Fall mit und ohne Sauerstoffpräsenz den gleichen Wert. Aus den experimentellen Ergebnissen läßt sich daher schließen, dass Sauerstoffadsorbate keine Einfangzentren für Al-Adatome darstellen.
Hinweise für eine repulsive Wechselwirkung liefern Experimente, bei denen bei 420 K Sauerstoffinseln auf der Probe erzeugt und danach bis zu 1,5 ML Al aufgedampft wurden. Die STM Bilder dieser Experimente zeigen, dass das Aluminium die Sauerstoffinseln nicht überwächst. Dies führt zu stark verzweigten und löchrigen aufgewachsnen Al-Inseln und -Schichten.