O 38: Epitaxie und Wachstum (III)
Freitag, 15. März 2002, 11:15–13:15, H43
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11:15 |
O 38.1 |
Simulation von STM-Bildern von Stufenkanten auf As-bedecktem Si(111) — •Kurt Schroeder, Armin Antons, Ralf Berger und Stefan Blügel
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11:30 |
O 38.2 |
Strukturuntersuchungen dünner Bi-Filme auf Si(111) — •Adelheid Rez, Uta Deffke, Kai Schwinge, Jens J. Paggel und Paul Fumagalli
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11:45 |
O 38.3 |
Untersuchungen zum Wachstumsverhalten von MnBi auf Si(111) — •Uta Deffke, G. Ctistis, J. Paggel und P. Fumagalli
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12:00 |
O 38.4 |
Wachstum ultradünner Eisensilizidfilme auf Si(111) untersucht mittels STM und LEED — •M. Krause, F. Blobner, S. Walter, L. Hammer, U. Starke und K. Heinz
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12:15 |
O 38.5 |
Wachstum von ultradünnen Ag-Filmen auf wasserstoffpassivierten Si(111)-Oberflächen — •Thorsten Müller und Hermann Nienhaus
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12:30 |
O 38.6 |
STM-Untersuchung des Wachstums von Fe auf InAs(001) — •Martin Kneppe, Matthias Berse und Ulrich K. Köhler
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12:45 |
O 38.7 |
Surface stress and phase diagram of the wetting layer inInAs/GaAs(001) heteroepitaxy — •Evgeni Penev, Peter Kratzer, and Matthias Scheffler
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13:00 |
O 38.8 |
MBE-Wachstum von CuInS2 auf Si, SiGe und GaAs: Eine oberflächenanalytische Untersuchung — •Calvet Wolfram, Pettenkofer Christian und Lewerenz Hans-Joachim
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